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VS3622AA2	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N沟道增强型功率MOSFET采用Trench工艺针对更低Rds(on)和更高载流能力进行优化。该类产品非常适合要求高性能和耐用性的中低频应用，如负载开关、马达驱动和电池保护等。 1.较低的导通损耗和开关损耗\n2.雪崩能力强\n3.100%雪崩测试;	Vergiga 威兆半导体	Vergiga
VS-40CPQ100-N3	文件：0 bytes Page：0 Pages	VISHAY TO-247AC	VishayVishay Siliconix 威世上传：深圳市壹芯创科技有限公司	Vishay
VS-40MT120PHAPBF	文件：0 bytes Page：0 Pages	Vishay Semiconductors Module	Vishay Semiconductors 上传：深圳市华睿芯科技有限公司	Vishay Semiconductors
VS-40TPS12A-M3	文件：0 bytes Page：0 Pages	ON TO-247AC	ON 上传：深圳市壹芯创科技有限公司	ON
VS-43CTQ100STRLHM3	文件：0 bytes Page：0 Pages	VISHAY TO263	VishayVishay Siliconix 威世上传：深圳市纳艾斯科技有限公司	Vishay

技术参数

BVDSS[V]：
30.00
bVGS[V]：
20.00
vth_min：
1.30
vth_max：
2.40
ID[A]：
13.00
PD[W]：
2.50
RDS (on) Typ[mR]@10V：
8.80
RDS (on) Typ[mR]@4.5V：
13.00
RDS (on) Typ[mR]@2.5V：
0.00
RDS (on) Typ[mR]@1.8V：
0.00
Ciss：
865.00
Coss：
150.00
Crss：
110.00
Qg(10V)[nC]：
19.00
Qg(4.5V)[nC]：
0.00
Package：
DFN2x2x0.45-6L
Technology：
Trench MOS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多VS3622AA2供应商更新时间2025-10-13 14:01:00

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