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|---|---|---|---|---|
VS3622AA | MOSFET N沟道增强型功率MOSFET采用Trench工艺针对更低Rds(on)和更高载流能力进行优化。该类产品非常适合要求高性能和耐用性的中低频应用，如负载开关、马达驱动和电池保护等。 1.较低的导通损耗和开关损耗\n2.雪崩能力强\n3.100%雪崩测试; | Vergiga 威兆半导体 | Vergiga | |
MOSFET N沟道增强型功率MOSFET采用Trench工艺针对更低Rds(on)和更高载流能力进行优化。该类产品非常适合要求高性能和耐用性的中低频应用，如负载开关、马达驱动和电池保护等。 1.较低的导通损耗和开关损耗\n2.雪崩能力强\n3.100%雪崩测试; | Vergiga 威兆半导体 | Vergiga | ||
MOSFET | Vergiga 威兆半导体 | Vergiga | ||
N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.1436 Mbytes 页数：4 Pages | DOINGTER 杜因特 | DOINGTER | ||
N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.37936 Mbytes 页数：4 Pages | DOINGTER 杜因特 | DOINGTER | ||
WorkWise Height-Adjustable Sit-Stand Desktop Workstation, 36 x 22 in. Monitor Platform 文件：170.88 Kbytes 页数：3 Pages | TRIPPLITE | TRIPPLITE |
技术参数
- BVDSS[V]：
30.00
- bVGS[V]：
20.00
- vth_min：
1.30
- vth_max：
2.40
- ID[A]：
13.00
- PD[W]：
2.50
- RDS (on) Typ[mR]@10V：
8.80
- RDS (on) Typ[mR]@4.5V：
13.00
- RDS (on) Typ[mR]@2.5V：
0.00
- RDS (on) Typ[mR]@1.8V：
0.00
- Ciss：
865.00
- Coss：
150.00
- Crss：
110.00
- Qg(10V)[nC]：
19.00
- Qg(4.5V)[nC]：
0.00
- Package：
DFN2x2x0.75-6L
- Technology：
Trench MOS
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NK/南科功率 |
2025+ |
DFN2x2x0.75-6L |
986966 |
国产 |
询价 | ||
VANGUARD/威兆 |
2511 |
DFN2020-6 |
360000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
鑫远鹏 |
25+ |
NA |
5000 |
价优秒回原装现货 |
询价 | ||
Vanguard(威兆) |
2447 |
PDFN3333 |
105000 |
5000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
询价 | ||
VANGUARD |
24+ |
PDFN3333 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
Vergiga Semiconductor |
22+ |
5000 |
Rohm授权代理,自营现货 |
询价 | |||
24+ |
N/A |
82000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
Vergiga Semiconductor |
23+ |
5000 |
原装正品现货,德为本,正为先,通天下! |
询价 | |||
VANGUARD/威兆 |
24+ |
PDFN3333 |
30000 |
原装正品 假一罚十 |
询价 | ||
VANGUARD/威兆 |
24+ |
DFN3333 |
166500 |
专营威兆原装正品保障 |
询价 |
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