VS-8EWS08S-M3分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

厂商型号	VS-8EWS08S-M3
参数属性	VS-8EWS08S-M3 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单；产品描述：DIODE GEN PURP 800V 8A TO252AA
功能描述	High Voltage Surface Mountable Input Rectifier Diode, 8 A
封装外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
文件大小	134.74 Kbytes
页面数量	6 页
生产厂商	Vishay Vishay Siliconix
中文名称	威世威世科技公司
网址	网址
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-11-14 11:42:00
人工找货	VS-8EWS08S-M3价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

FEATURES

• Glass passivated pellet chip junction

• Meets MSL level 1, per J-STD-020,

LF maximum peak of 260 °C

• Material categorization:

for definitions of compliance please see

www.vishay.com/doc?99912

APPLICATIONS

• Input rectification

• Vishay Semiconductors switches and output rectifiers

which are available in identical package outlines

DESCRIPTION

The VS-8EWS..S-M3 rectifier high voltage series has been

optimized for very low forward voltage drop, with moderate

leakage. The glass passivation technology used has reliable

operation up to 150 °C junction temperature.

The high reverse voltage range available allows design of

input stage primary rectification with outstanding voltage

surge capability. 

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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