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VS-1N1184R	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：DO-203AB，DO-5，接线柱类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
VS-1N1184RA	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：DO-203AB，DO-5，接线柱类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 100V 40A DO203AB	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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1N1184	文件：298.56 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPowerRectifier SiliconPowerRectifier •GlassPassivatedDie •800Asurgerating •Glasstometalconstruction •VRRMto1000V	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N1184	文件：377.04 Kbytes Page：5 Pages	35,40,and60AmpPowerSiliconRectifierDiodes 35,40,and60AmpPowerSiliconRectifierDiodes	IRF International Rectifier	IRF
1N1184	文件：113.39 Kbytes Page：2 Pages	MilitarySiliconPowerRectifier HIGHRELIABILITYSILICONPOWERRECTIFIER QualifiedperMIL-PRF-19500/297 •GlassPassivatedDie •GlasstoMetalSealConstruction •500AmpsSurgeRating •VRRMto1000Volts	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
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1N1184	文件：160.63 Kbytes Page：2 Pages	Silicon-PowerRectifiers Silicon-PowerRectifiers •Nominalcurrent35A •Repetitivepeakreversevoltage50~1000V •MetalcaseDO-5 •Weightapprox.6g •Standardpolarity:Cathodetostud •IndexR:Anodetostud •Standardpackaging:bulk	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
1N1184	文件：274.18 Kbytes Page：6 Pages	PowerSiliconRectifierDiodes,35A/40A/60A DESCRIPTION/FEATURES •Lowleakagecurrentseries •Goodsurgecurrentcapabilityupto1000A •Canbesuppliedtomeetstringentmilitary,aerospaceandotherhighreliabilityrequirements •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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1N1184A	文件：555.09 Kbytes Page：2 Pages	StandardRecoveryDiode,40A	NAINA Naina Semiconductor ltd.	NAINA

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产品属性

产品编号：
VS-1N1184R
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
散装
二极管类型：
标准型，反极性
电流 - 平均整流 (Io)：
35A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
底座，接线柱安装
封装/外壳：
DO-203AB，DO-5，接线柱
供应商器件封装：
DO-203AB（DO-5）
工作温度 - 结：
-65°C ~ 190°C
描述：
DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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