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VP0104N3	文件：90.22 Kbytes Page：1 Pages	P-Channel Enhancement-Mode P-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSPowerFETs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
VP0104N3	文件：46.74 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs AdvancedDMOSTechnology Theseenhancement-mode(normally-off)transistorsutilizeaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesdeviceswiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighinputimpedan	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
VP0104N3	文件：225.63 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
VP0104N3-G	文件：684.39 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs GeneralDescription TheSupertexVP0104isanenhancement-mode(normallyoff)transistorthatutilizesaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesadevicewiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistors,andthehi	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
VP0104N3-G	文件：759.62 Kbytes Page：14 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET GeneralDescription TheVP0104low-thresholdEnhancement-mode (normally-off)transistorsuseaverticalDMOSstructure andawell-provensilicon-gatemanufacturingprocess. Thiscombinationproducesadevicewiththepower handlingcapabilitiesofbipolartransistorsandthehigh inputimped	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
TN0104N3	文件：45.83 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFETs LowThresholdDMOSTechnology Theselowthresholdenhancement-mode(normally-off)transistorsutilizeaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesdeviceswiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththe	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
TN0104N3-G	文件：702.94 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFET GeneralDescription Thislowthreshold,enhancement-mode(normally-off)transistorutilizesaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-proven,silicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesadevicewiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighin	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
VN0104N3	文件：68.09 Kbytes Page：1 Pages	N-ChannelEnhancement-Mode N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSPowerFETs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
VN0104N3	文件：476.38 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFET AdvancedDMOSTechnology Theseenhancement-mode(normally-off)transistorsutilizeaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesdeviceswiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighinputimpedan	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
VN0104N3-G	文件：647.41 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFET GeneralDescription Thisenhancement-mode(normally-off)transistorutilizesaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-proven,silicongatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesadevicewiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandthehighinputimpedanceandpos	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX

详细参数

型号：
VP0104N3
功能描述：
MOSFET 40V 8Ohm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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