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VND05B	文件：87.21 Kbytes Page：11 Pages	DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY DESCRIPTION TheVND05B,VND05B(011Y),VND05B(012Y)isamonolithicdevicedesignedinSTMicroelectronicsVIPowertechnology,intendedfordrivingresistiveorinductiveloadswithonesideconnectedtoground.Thisdevicehastwochannels,andacommondiagnostic.Built-inthermalshutdownpr	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
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VND05B	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：Heptawatt-7（垂直，弯曲和错列引线）类别：集成电路（IC）配电开关，负载驱动器描述：IC PWR DRVR N-CH 1:1 HEPTAWATT-7	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VND05B011Y	文件：87.21 Kbytes Page：11 Pages	DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY DESCRIPTION TheVND05B,VND05B(011Y),VND05B(012Y)isamonolithicdevicedesignedinSTMicroelectronicsVIPowertechnology,intendedfordrivingresistiveorinductiveloadswithonesideconnectedtoground.Thisdevicehastwochannels,andacommondiagnostic.Built-inthermalshutdownpr	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VND05B011Y	文件：264.27 Kbytes Page：11 Pages	DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY DESCRIPTION TheVND05B,VND05B(011Y),VND05B(012Y)isamonolithicdevicedesignedinSTMicroelectronicsVIPowertechnology,intendedfordrivingresistiveorinductiveloadswithonesideconnectedtoground.Thisdevicehastwochannels,andacommondiagnostic.Built-inthermalshutdownpr	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VND05B012Y	文件：87.21 Kbytes Page：11 Pages	DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY DESCRIPTION TheVND05B,VND05B(011Y),VND05B(012Y)isamonolithicdevicedesignedinSTMicroelectronicsVIPowertechnology,intendedfordrivingresistiveorinductiveloadswithonesideconnectedtoground.Thisdevicehastwochannels,andacommondiagnostic.Built-inthermalshutdownpr	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VND05B012Y	文件：264.27 Kbytes Page：11 Pages	DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY DESCRIPTION TheVND05B,VND05B(011Y),VND05B(012Y)isamonolithicdevicedesignedinSTMicroelectronicsVIPowertechnology,intendedfordrivingresistiveorinductiveloadswithonesideconnectedtoground.Thisdevicehastwochannels,andacommondiagnostic.Built-inthermalshutdownpr	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VND05B-E	文件：264.27 Kbytes Page：11 Pages	DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY DESCRIPTION TheVND05B,VND05B(011Y),VND05B(012Y)isamonolithicdevicedesignedinSTMicroelectronicsVIPowertechnology,intendedfordrivingresistiveorinductiveloadswithonesideconnectedtoground.Thisdevicehastwochannels,andacommondiagnostic.Built-inthermalshutdownpr	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VND05BSP	文件：226.9 Kbytes Page：9 Pages	ISO HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY Description TheVND05BSPisamonolithicdevicemadeusingSTMicroelectronicsVIPowerTechnology,intendedfordrivingresistiveorinductiveloadswithonesidegrounded. Thisdevicehastwochannels,andacommondiagnostic.Built-inthermalshutdownprotectsthechipfromovertemperature	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VND05BSP-E	文件：268.62 Kbytes Page：16 Pages	Iso high side smart power solid state relay Description TheVND05BSPisamonolithicdevicemadeusingSTMicroelectronicsVIPowerTechnology,intendedfordrivingresistiveorinductiveloadswithonesidegrounded. Thisdevicehastwochannels,andacommondiagnostic.Built-inthermalshutdownprotectsthechipfromovertemperature	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VND05BSP_05	文件：268.62 Kbytes Page：16 Pages	Iso high side smart power solid state relay	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VND05B(012Y)	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：Heptawatt-7（直引线，交错配接深度）类别：集成电路（IC）配电开关，负载驱动器描述：IC PWR DRVR N-CH 1:1 HEPTAWATT-7	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VND05B-11-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：Heptawatt-7（水平，弯曲和错列引线）类别：集成电路（IC）配电开关，负载驱动器描述：IC PWR SMART SSR N-CH HEPTAWATT7	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团

产品属性

产品编号：
VND05B
制造商：
STMicroelectronics
类别：
集成电路（IC） > 配电开关，负载驱动器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
开关类型：
通用
输出数：
2
比率 - 输入：
1：1
输出配置：
高端
输出类型：
N 通道
接口：
开/关
电压 - 负载：
6V ~ 26V
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：
不需要
电流 - 输出（最大值）：
1.6A
导通电阻（典型值）：
200 毫欧（最大）
输入类型：
非反相
特性：
状态标志
故障保护：
开路负载检测，超温
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
供应商器件封装：
7-HEPTAWATT
封装/外壳：
Heptawatt-7（垂直，弯曲和错列引线）
描述：
IC PWR DRVR N-CH 1

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