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VN02N	文件：193.94 Kbytes Page：11 Pages	HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY Description TheVN02NisamonolithicdevicemadeusingSTMicroelectronicsVIPowertechnology,intendedfordrivingresistiveorinductiveloadswithonesidegrounded.Built-inthermalshutdownprotectsthechipfromovertemperatureandshortcircuit.Theinputcontrolis5Vlogiclevelcompati	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VN02N	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：Pentawatt-5（垂直，弯曲和错列引线）类别：集成电路（IC）配电开关，负载驱动器描述：IC PWR DRVR N-CH 1:1 5PENTAWATT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VN02N011Y	文件：193.94 Kbytes Page：11 Pages	HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY Description TheVN02NisamonolithicdevicemadeusingSTMicroelectronicsVIPowertechnology,intendedfordrivingresistiveorinductiveloadswithonesidegrounded.Built-inthermalshutdownprotectsthechipfromovertemperatureandshortcircuit.Theinputcontrolis5Vlogiclevelcompati	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VN02N012Y	文件：193.94 Kbytes Page：11 Pages	HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY Description TheVN02NisamonolithicdevicemadeusingSTMicroelectronicsVIPowertechnology,intendedfordrivingresistiveorinductiveloadswithonesidegrounded.Built-inthermalshutdownprotectsthechipfromovertemperatureandshortcircuit.Theinputcontrolis5Vlogiclevelcompati	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VN02N-E	文件：251.47 Kbytes Page：16 Pages	High side smart power solid state relay Description TheVN02NisamonolithicdevicemadeusingSTMicroelectronicsVIPowertechnology,intendedfordrivingresistiveorinductiveloadswithonesidegrounded.Built-inthermalshutdownprotectsthechipfromovertemperatureandshortcircuit.Theinputcontrolis5Vlogiclevelcompati	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VN02NPT	文件：310.65 Kbytes Page：10 Pages	HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY DESCRIPTION TheVN02NSP/VN02NPTaremonolithicdevicesmadeusingSTMicroelectronicsVIPowerTechnology,intendedfordrivingresistiveorinductiveloadswithonesidegrounded.Built-inthermalshut-downprotectsthechipfromovertemperatureandshortcircuit.Theinputcontrolis5Vlogicle	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VN02NSP	文件：310.65 Kbytes Page：10 Pages	HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY DESCRIPTION TheVN02NSP/VN02NPTaremonolithicdevicesmadeusingSTMicroelectronicsVIPowerTechnology,intendedfordrivingresistiveorinductiveloadswithonesidegrounded.Built-inthermalshut-downprotectsthechipfromovertemperatureandshortcircuit.Theinputcontrolis5Vlogicle	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VN02N(012Y)	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：Pentawatt-5（直引线，交错配接深度）类别：集成电路（IC）配电开关，负载驱动器描述：IC PWR DRVR N-CH 1:1 5PENTAWATT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VN02N-11-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：Pentawatt-5（垂直，弯曲和错列引线）类别：集成电路（IC）配电开关，负载驱动器描述：IC PWR DRVR N-CH 1:1 5PENTAWATT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团

产品属性

产品编号：
VN02N
制造商：
STMicroelectronics
类别：
集成电路（IC） > 配电开关，负载驱动器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
开关类型：
通用
输出数：
1
比率 - 输入：
1：1
输出配置：
高端
输出类型：
N 通道
接口：
开/关
电压 - 负载：
7V ~ 26V
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：
不需要
电流 - 输出（最大值）：
6A
导通电阻（典型值）：
400 毫欧（最大）
输入类型：
非反相
特性：
状态标志
故障保护：
开路负载检测，超温
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
供应商器件封装：
5-PENTAWATT
封装/外壳：
Pentawatt-5（垂直，弯曲和错列引线）
描述：
IC PWR DRVR N-CH 1

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