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VIT3080C	文件：131.1 Kbytes Page：5 Pages	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderbathtemperature275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandinaccordancetoWEEE2002/96/EC •Halogen-freea	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VIT3080C	文件：126.21 Kbytes Page：5 Pages	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VIT3080C-E3	文件：207.72 Kbytes Page：6 Pages	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,per JESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220AB,	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VIT3080CHM3-4W	文件：131.1 Kbytes Page：5 Pages	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderbathtemperature275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandinaccordancetoWEEE2002/96/EC •Halogen-freea	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VIT3080C-M3-4W	文件：131.1 Kbytes Page：5 Pages	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderbathtemperature275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandinaccordancetoWEEE2002/96/EC •Halogen-freea	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VIT3080C-E3	文件：155.94 Kbytes Page：5 Pages	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VIT3080C-E3	文件：166.6 Kbytes Page：5 Pages	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VIT3080C-E3/4W	文件：148.93 Kbytes Page：5 Pages	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VIT3080C-E3SLASH4W	文件：148.93 Kbytes Page：5 Pages	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VIT3080C-E3/4W	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE SCHOTTKY 30A 80V TO-262AA	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division

详细参数

型号：
VIT3080C
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市科雨电子有限公司	VIT3080C-E3/4W	VISHAY	1809+	TO-262	3675	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
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更多VIT3080C供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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