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VBT4060C	文件：102.6 Kbytes Page：4 Pages	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C • Not recommended for PCB bottom side wave mounting • Material categorization: for definitions of compliance plea 文件：102.6 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VBT4060C	文件：315.07 Kbytes Page：2 Pages	Schotty Barrier Diode FEATURES · Low Forward Voltage Drop, Low Power losses · High Efficiency Operation · SMD APPLICATIONS · Switching Power Supply (SPS) · High Frequency Converter · DC/DC Converter 文件：315.07 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
VBT4060C	文件：81.71 Kbytes Page：4 Pages	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：81.71 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VBT4060C_V01	文件：102.6 Kbytes Page：4 Pages	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C • Not recommended for PCB bottom side wave mounting • Material categorization: for definitions of compliance plea 文件：102.6 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VBT4060C-E3-4W	文件：81.71 Kbytes Page：4 Pages	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：81.71 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VBT4060C-E3-8W	文件：81.71 Kbytes Page：4 Pages	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：81.71 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VBT4060CHM3	文件：88.95 Kbytes Page：4 Pages	Trench MOS Schottky technology 文件：88.95 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VBT4060C-M3	文件：88.95 Kbytes Page：4 Pages	Trench MOS Schottky technology 文件：88.95 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VBT4060C-M3_15	文件：78.19 Kbytes Page：4 Pages	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：78.19 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VBT4060C-M3	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.32 V at IF = 5.0 A Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;	Vishay 威世科技	Vishay

详细参数

型号：
VBT4060C
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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