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VBT3045C-E3_V01	文件：102.79 Kbytes Page：4 Pages	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIO	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VE3045C-E3_V01	文件：86.38 Kbytes Page：4 Pages	DualLow-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES •Powerpack •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATION	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIO

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DualLow-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

FEATURES •Powerpack •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATION

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更多VBT3045C-E3_V01供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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