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VBE165R01	文件：884.52 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamic dV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceand AvalancheVoltageandCurrent APPLICATIONS •SwitchModePowerSupply(SMPS) •UninterruptiblePowerSupply •PowerFactorCorre	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VB165R01	文件：1.61304 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •AvailableinTapeandReel •FastSwitching •EaseofParalleling •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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VBI165R01	文件：1.6493 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBM165R01	文件：485.83 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamic dV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceand AvalancheVoltageandCurrent APPLICATIONS •SwitchModePowerSupply(SMPS) •UninterruptiblePowerSupply •PowerFactorCorre	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBR165R01	文件：1.6493 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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深圳市创新迹电子有限公司	VBE1695	VBsemi台湾微碧	21+	TO-252	17071	原装现货,假一罚十	询价
深圳市弘扬芯城科技有限公司	VBE16R02	VBsemi(微碧)	23+	TO2523	5000	诚信服务,绝对原装原盘	询价
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