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V8PM12_V01	文件：113.81 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES •Verylowprofile-typicalheightof1.1mm •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -Automotiveorderingcode;baseP/	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

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V8PM12_V01

文件：113.81 Kbytes

Page：5 Pages

High Current Density Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

FEATURES •Verylowprofile-typicalheightof1.1mm •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -Automotiveorderingcode;baseP/

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay

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更多V8PM12_V01供应商更新时间2024-5-29 16:50:00

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