V4P22C中文资料威世科技数据手册PDF规格书
厂商型号 |
V4P22C |
参数属性 | V4P22C 封装/外壳为TO-277,3-PowerDFN;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列;产品描述:4A, 200V, SMPC TRENCH SKY RECT. |
功能描述 | High Current Density Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier |
文件大小 |
104.58 Kbytes |
页面数量 |
5 页 |
生产厂商 | Vishay Siliconix |
企业简称 |
Vishay【威世科技】 |
中文名称 | 威世科技半导体官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-9-27 16:23:00 |
产品属性
- 产品编号:
V4P22CHM3/I
- 制造商:
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
- 系列:
Automotive, AEC-Q101
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 二极管配置:
1 对共阴极
- 二极管类型:
肖特基
- 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):
2.8A
- 速度:
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
- 工作温度 - 结:
-40°C ~ 175°C
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-277,3-PowerDFN
- 供应商器件封装:
TO-277A(SMPC)
- 描述:
4A, 200V, SMPC TRENCH SKY RECT.
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay(威世) |
23+ |
NA |
20094 |
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VISHAY |
22+23+ |
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VISHAY/威世 |
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威世 |
2022+ |
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VISHAY/威世 |
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Vishay General Semiconductor - |
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Vishay |
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NA |
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NA |
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VIIYONG |
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