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V40D60C_V01

Dual Low-Voltage TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Very low profile - typical height of 1.7 mm • Ideal for automated placement • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available: -

文件:117.09 Kbytes 页数:5 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

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更多V40D60C_V01供应商 更新时间2025-10-4 8:14:00