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UT3406G-AE3-R	文件：132.61 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheUT3406usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandcanbeoperatedatlowgatevoltages.ThisdeviceisperfectfitforuseasaloadswitchorinPWMapplications. FEATURES RDS(ON)≤65mΩ@VGS=10V,ID=3.6A RDS(ON)≤105mΩ@VGS=4.5V	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
UT3406G-AE3-R	文件：492.09 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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UT3406G-AE3-R

文件：132.61 Kbytes

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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheUT3406usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandcanbeoperatedatlowgatevoltages.ThisdeviceisperfectfitforuseasaloadswitchorinPWMapplications. FEATURES *RDS(ON)≤65mΩ@VGS=10V,ID=3.6A *RDS(ON)≤105mΩ@VGS=4.5V

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

UT3406G-AE3-R

文件：492.09 Kbytes

Page：9 Pages

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverter

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI

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