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USB6B1RL	文件：100.24 Kbytes Page：9 Pages	DATA LINES PROTECTION DESCRIPTION Inordertopreventfasttransientsfromleadingtoseveredamagesinahighspeeddatasystem,aspecificprotectionhasbeendevelopedbySTMicroelectronics. TheUSB6Bxprotectsthetwoinputlinesagainstovervoltage.Besides,thisdevicealsokeepsthepowerrailsinasafelimit	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
USB6B1RL	文件：124.51 Kbytes Page：9 Pages	Data line protection	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
USB6B1RL	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 5.25VWM 8-SO	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
ER6B1	文件：39.66 Kbytes Page：1 Pages	3AMPENCAPSULATEDASSEMBLIES	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
H6B1	文件：108.27 Kbytes Page：4 Pages	500mWZenerDiode1.7to37.2Volts Features •LowLeakage •LowZenerImpedance •HighReliability	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司
HZ6B1	文件：385.79 Kbytes Page：4 Pages	Glass-EncapsulateDiodes	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司
HZ6B1	文件：261.899 Kbytes Page：4 Pages	SILICONEPITAXIALPLANERZENERDIODES forstabilizedpowersupply Features •Lowleakage,lowzenerimpedanceandmaximumpowerdissipationof500mWareideallysuitedforstabilizedpowersupply,etc. •Widespectrumfrom1.6Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司
HZ6B1	文件：45.1 Kbytes Page：8 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply Features •Lowleakage,lowzenerimpedanceandmaximumpowerdissipationof500mWareideallysuitedforstabilizedpowersupply,etc. •Widespectrumfrom1.6Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication.	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司
HZ6B1	文件：55.92 Kbytes Page：7 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply Features •Lowleakage,lowzenerimpedanceandmaximumpowerdissipationof500mWareideallysuitedforstabilizedpowersupply,etc. •Widespectrumfrom1.6Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
HZS6B1	文件：56.36 Kbytes Page：7 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
HZU6B1L	文件：77.04 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforLowNoiseApplication	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
RKZ6B1KD	文件：100.22 Kbytes Page：8 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply Features •Lowleakage,lowzenerimpedanceandmaximumpowerdissipationof500mW. •Widespectrumfrom1.9Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication. •LLDPackageissuitableforhighdensitysurfacemountingandhighspeedassembly.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
SOL6B1	文件：176.18 Kbytes Page：2 Pages	IndustrialSolenoidValves	CYNERGY3Cynergy3 Co Cynergy3 Co
USB6B1	文件：69.66 Kbytes Page：2 Pages	TVSarraySeries DESCRIPTION(500watt) ThisTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR(TVS)arrayispackagedinaSO-8configurationgivingprotectiontoonepairofBidirectionaldatalinesandtheVbus.Itisdesignedforuseinapplicationswhereprotectionisrequiredattheboardlevelfromvoltagetransientscausedby	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
USB6B1	文件：124.51 Kbytes Page：9 Pages	Datalineprotection	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
USB6B1	文件：100.24 Kbytes Page：9 Pages	DATALINESPROTECTION DESCRIPTION Inordertopreventfasttransientsfromleadingtoseveredamagesinahighspeeddatasystem,aspecificprotectionhasbeendevelopedbySTMicroelectronics. TheUSB6Bxprotectsthetwoinputlinesagainstovervoltage.Besides,thisdevicealsokeepsthepowerrailsinasafelimit	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团

产品属性

产品编号：
USB6B1RL
制造商：
STMicroelectronics
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
系列：
USB
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
类型：
转向装置（轨至轨）
电压 - 反向断态（典型值）：
5.25V
电压 - 击穿（最小值）：
6V
功率 - 峰值脉冲：
500W
电源线路保护：
是
应用：
通用
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
TVS DIODE 5.25VWM 8-SO

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