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UPG2255T6N-E2-A中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

UPG2255T6N-E2-A
厂商型号

UPG2255T6N-E2-A

功能描述

GaAs HJ-FET INTEGRATED CIRCUIT

丝印标识

G5W

封装外壳

TSON

文件大小

255.18 Kbytes

页面数量

13

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
RENESAS
数据手册

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更新时间

2025-8-2 18:03:00

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UPG2255T6N-E2-A规格书详情

FEATURES

• Operating frequency : fopt = 1 880 to 1 930 MHz (1 890 MHz TYP.)

• Supply voltage : VDD1, 2, 3 = 1.5 to 3.5 V (3.3 V TYP.)

• Control voltage : Vcont = 1.5 to 2.1 V (1.8 V TYP.)

• Circuit current : IDD = 200 mA TYP. @ VDD1, 2, 3 = 3.3 V, Vcont = 1.8 V, Pin = −8 dBm

• Output power : Pout = +25 dBm TYP. @ VDD1, 2, 3 = 3.3 V, Vcont = 1.8 V, Pin = −8 dBm

• Gain control range : GCR = 60 dB TYP. @ VDD1, 2, 3 = 3.3 V, Vcont = 0 to 1.8 V, Pin = −8 dBm

• High efficiency : PAE = 50 TYP. @ VDD1, 2, 3 = 3.3 V, Vcont = 1.8 V, Pin = −8 dBm

• High-density surface mounting : 6-pin plastic TSON package (T6N) (1.5 × 1.5 × 0.37 mm)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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