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UPG2183T6C-E2

GaAs INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES •Supplyvoltage:Vbat=2.9to3.2V(3.0VTYP.) •Standbymodevoltage:VDD(H)=1.7toVbatV(2.65VTYP.) :VDD(L)=0to+0.05V(0VTYP.) •Switchcontrolvoltage:Vcont(H)=1.7toVbatV(2.65VTYP.) :Vcont(L)=0to+0.05V(0VTYP.) •OperatingFrequency:f=

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

UPG2183T6C-E2

4W HIGH POWER SP4T SWITCH

CEL

California Eastern Laboratories

UPG2183T6C-E2-A

GaAs INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES •Supplyvoltage:Vbat=2.9to3.2V(3.0VTYP.) •Standbymodevoltage:VDD(H)=1.7toVbatV(2.65VTYP.) :VDD(L)=0to+0.05V(0VTYP.) •Switchcontrolvoltage:Vcont(H)=1.7toVbatV(2.65VTYP.) :Vcont(L)=0to+0.05V(0VTYP.) •OperatingFrequency:f=

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

UPG2183T6C-E2-A

4W HIGH POWER SP4T SWITCH

CEL

California Eastern Laboratories

UPG2183T6C-E2-A

包装:卷带(TR) 封装/外壳:16-WFQFN 裸露焊盘 类别:RF/IF,射频/中频和 RFID 射频开关 描述:IC RF SWITCH SP4T 2.5GHZ 16QFN

CEL

California Eastern Laboratories

详细参数

  • 型号:

    UPG2183T6C-E2

  • 功能描述:

    RF 开关 IC .5-2.5GHz SP4T 3.0Volts

  • RoHS:

  • 制造商:

    M/A-COM Technology Solutions

  • 开关数量:

    Single

  • 开关配置:

    SPDT

  • 介入损耗:

    0.6 dB

  • 截止隔离(典型值):

    43 dB

  • 最大工作温度:

    + 85 C

  • 最小工作温度:

    - 40 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PQFN-16

  • 封装:

    Reel

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
RENESAS/瑞萨
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更多UPG2183T6C-E2供应商 更新时间2024-6-20 11:42:00