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UPD75P116GF-3BE	文件：319.59 Kbytes Page：32 Pages	4-BIT SINGLE-CHIP MICROCOMPUTER SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPD75P116GF-3BE	文件：433.25 Kbytes Page：34 Pages	MOS INTEGRATED CIRCUIT FEATURES •mPD75116compatible •Programmemory(PROM)capacitance:16256´8bits •Datamemory(RAM)capacitance:512´4bits •Singlepowersupply5V±10	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPD75P116	文件：433.25 Kbytes Page：34 Pages	MOSINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •mPD75116compatible •Programmemory(PROM)capacitance:16256´8bits •Datamemory(RAM)capacitance:512´4bits •Singlepowersupply5V±10	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPD75P116	文件：319.59 Kbytes Page：32 Pages	4-BITSINGLE-CHIPMICROCOMPUTER SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPD75P116CW	文件：433.25 Kbytes Page：34 Pages	MOSINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •mPD75116compatible •Programmemory(PROM)capacitance:16256´8bits •Datamemory(RAM)capacitance:512´4bits •Singlepowersupply5V±10	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPD75P116CW	文件：319.59 Kbytes Page：32 Pages	4-BITSINGLE-CHIPMICROCOMPUTER SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

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更多UPD75P116GF供应商更新时间2024-9-26 11:37:00

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