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UPD750066CU	文件：460.46 Kbytes Page：82 Pages	4-BIT SINGLE-CHIP MICROCONTROLLERS SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
UPD750066CUA	文件：460.46 Kbytes Page：82 Pages	4-BIT SINGLE-CHIP MICROCONTROLLERS SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
UPD750066CU-XXX	文件：622.14 Kbytes Page：85 Pages	MOS INTEGRATED CIRCUIT Features OLow-voltageoperation:VDD=1.8to5.5V OOn-chipmemory •Programmemory(ROM): 4096×8bits(μPD750064,750064(A)) 6144×8bits(μPD750066,750066(A)) 8192×8bits(μPD750068,750068(A)) •Datamemory(RAM): 512×4bits	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPD750066CU-XXX-A	文件：622.14 Kbytes Page：85 Pages	MOS INTEGRATED CIRCUIT Features OLow-voltageoperation:VDD=1.8to5.5V OOn-chipmemory •Programmemory(ROM): 4096×8bits(μPD750064,750064(A)) 6144×8bits(μPD750066,750066(A)) 8192×8bits(μPD750068,750068(A)) •Datamemory(RAM): 512×4bits	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPD750066	文件：622.14 Kbytes Page：85 Pages	MOSINTEGRATEDCIRCUIT Features OLow-voltageoperation:VDD=1.8to5.5V OOn-chipmemory •Programmemory(ROM): 4096×8bits(μPD750064,750064(A)) 6144×8bits(μPD750066,750066(A)) 8192×8bits(μPD750068,750068(A)) •Datamemory(RAM): 512×4bits	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPD750066GT	文件：460.46 Kbytes Page：82 Pages	4-BITSINGLE-CHIPMICROCONTROLLERS SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
UPD750066GTA	文件：460.46 Kbytes Page：82 Pages	4-BITSINGLE-CHIPMICROCONTROLLERS SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
UPD750066GT-XXX	文件：622.14 Kbytes Page：85 Pages	MOSINTEGRATEDCIRCUIT Features OLow-voltageoperation:VDD=1.8to5.5V OOn-chipmemory •Programmemory(ROM): 4096×8bits(μPD750064,750064(A)) 6144×8bits(μPD750066,750066(A)) 8192×8bits(μPD750068,750068(A)) •Datamemory(RAM): 512×4bits	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPD750066GT-XXX-A	文件：622.14 Kbytes Page：85 Pages	MOSINTEGRATEDCIRCUIT Features OLow-voltageoperation:VDD=1.8to5.5V OOn-chipmemory •Programmemory(ROM): 4096×8bits(μPD750064,750064(A)) 6144×8bits(μPD750066,750066(A)) 8192×8bits(μPD750068,750068(A)) •Datamemory(RAM): 512×4bits	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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