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UPD5738T6N-E2	文件：254.45 Kbytes Page：13 Pages	CMOS INTEGRATED CIRCUIT FEATURES •Supplyvoltage:VDD=1.5to3.6V(2.8VTYP.) •Switchcontrolvoltage:Vcont(H)=1.5to3.6V(2.8VTYP.) :Vcont(L)=−0.2to+0.4V(0VTYP.) •LowinsertionlossNote:Lins1=0.5dBTYP.@f=0.01to0.05GHz :Lins2=0.8dBTYP.@f=0.05to1.0GHz :Lins3=1.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPD5738T6N-E2	文件：125.74 Kbytes Page：11 Pages	WIDE BAND DPDT SWITCH	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
UPD5738T6N-E2-A	文件：254.45 Kbytes Page：13 Pages	CMOS INTEGRATED CIRCUIT FEATURES •Supplyvoltage:VDD=1.5to3.6V(2.8VTYP.) •Switchcontrolvoltage:Vcont(H)=1.5to3.6V(2.8VTYP.) :Vcont(L)=−0.2to+0.4V(0VTYP.) •LowinsertionlossNote:Lins1=0.5dBTYP.@f=0.01to0.05GHz :Lins2=0.8dBTYP.@f=0.05to1.0GHz :Lins3=1.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPD5738T6N-E2-A	文件：125.74 Kbytes Page：11 Pages	WIDE BAND DPDT SWITCH	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
UPD5738T6N-E2-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：6-XFDFN 裸露焊盘类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频开关描述：IC RF SWITCH DPDT 2.5GHZ 6TSON	CEL California Eastern Laboratories	CEL

更多UPD5738T6N-E2供应商更新时间2021-9-14 10:50:00