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UPD5702	文件：176.33 Kbytes Page：4 Pages	NECs 2.4 GHz Si LD MOS POWER AMPLIFIER 3VOPERATIONSILICONLDMOSFETRFPOWERAMPLIFIERINTEGRATEDCIRCUIT FOR1.9GHzPHSAND2.4GHzAPPLICATIONS DESCRIPTION TheµPD5702TUisasiliconlaterallydiffused(LD)MOSFETICdesignedforuseaspoweramplifier1.9GHzPHSand2.4GHzapplications.ThisICconsistsoftwostageamplifier	CEL California Eastern Labs	CEL
UPD5702TU	文件：176.33 Kbytes Page：4 Pages	NECs 2.4 GHz Si LD MOS POWER AMPLIFIER 3VOPERATIONSILICONLDMOSFETRFPOWERAMPLIFIERINTEGRATEDCIRCUIT FOR1.9GHzPHSAND2.4GHzAPPLICATIONS DESCRIPTION TheµPD5702TUisasiliconlaterallydiffused(LD)MOSFETICdesignedforuseaspoweramplifier1.9GHzPHSand2.4GHzapplications.ThisICconsistsoftwostageamplifier	CEL California Eastern Labs	CEL
UPD5702TU	文件：231.97 Kbytes Page：13 Pages	Si LDMOSFET ANALOG RF INTEGRATED CIRCUIT FEATURES •OutputPower:Pout=+21dBmMIN.@Pin=−5dBm,f=1.9GHz,VDS=3.0V :Pout=+21dBmMIN.@Pin=+2dBm,f=2.45GHz,VDS=3.0V •SingleSupplyvoltage:VDS=3.0VTYP. •Packagedin8-pinLead-LessMinimold(2.0x2.2x0.5mm)suitableforhigh-densitysurfacemounting.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPD5702TU-A	文件：391.25 Kbytes Page：10 Pages	Si LDMOSFET ANALOG RF INTEGRATED CIRCUIT 3VOPERATIONSILICONLDMOSFETRFPOWERAMPLIFIERINTEGRATEDCIRCUIT FOR1.9GHzPHSAND2.4GHzAPPLICATIONS DESCRIPTION TheµPD5702TUisasiliconlaterallydiffused(LD)MOSFETICdesignedforuseaspoweramplifier1.9GHzPHSand2.4GHzapplications.ThisICconsistsoftwostageamplifier	CEL California Eastern Labs	CEL
UPD5702TU-E2	文件：231.97 Kbytes Page：13 Pages	Marking：5702；Si LDMOSFET ANALOG RF INTEGRATED CIRCUIT FEATURES •OutputPower:Pout=+21dBmMIN.@Pin=−5dBm,f=1.9GHz,VDS=3.0V :Pout=+21dBmMIN.@Pin=+2dBm,f=2.45GHz,VDS=3.0V •SingleSupplyvoltage:VDS=3.0VTYP. •Packagedin8-pinLead-LessMinimold(2.0x2.2x0.5mm)suitableforhigh-densitysurfacemounting.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPD5702TU-E2-A	文件：176.33 Kbytes Page：4 Pages	NECs 2.4 GHz Si LD MOS POWER AMPLIFIER 3VOPERATIONSILICONLDMOSFETRFPOWERAMPLIFIERINTEGRATEDCIRCUIT FOR1.9GHzPHSAND2.4GHzAPPLICATIONS DESCRIPTION TheµPD5702TUisasiliconlaterallydiffused(LD)MOSFETICdesignedforuseaspoweramplifier1.9GHzPHSand2.4GHzapplications.ThisICconsistsoftwostageamplifier	CEL California Eastern Labs	CEL
UPD5702TU-E2-A	文件：391.25 Kbytes Page：10 Pages	Si LDMOSFET ANALOG RF INTEGRATED CIRCUIT 3VOPERATIONSILICONLDMOSFETRFPOWERAMPLIFIERINTEGRATEDCIRCUIT FOR1.9GHzPHSAND2.4GHzAPPLICATIONS DESCRIPTION TheµPD5702TUisasiliconlaterallydiffused(LD)MOSFETICdesignedforuseaspoweramplifier1.9GHzPHSand2.4GHzapplications.ThisICconsistsoftwostageamplifier	CEL California Eastern Labs	CEL
UPD5702TU-E2-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SMD，扁平引线裸焊盘；包装：散装类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器描述：IC AMP 802.15.1 2.4GHZ 8MINIMOLD	CEL California Eastern Labs	CEL
UPD5702TU-EV09	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装类别：开发板，套件，编程器射频评估和开发套件，开发板描述：EVAL BOARD UPD5702TU 900MHZ	CEL California Eastern Labs	CEL
UPD5702TU-EV24	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：盒类别：开发板，套件，编程器射频评估和开发套件，开发板描述：EVAL BOARD UPD5702TU 2.4GHZ	CEL California Eastern Labs	CEL

详细参数

型号：
UPD5702
制造商：
CEL
制造商全称：
CEL
功能描述：
NECs 2.4 GHz Si LD MOS POWER AMPLIFIER

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多UPD5702供应商更新时间2025-7-14 15:01:00

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