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UPC2708T	文件：140.58 Kbytes Page：6 Pages	3 GHz SILICON MMIC WIDE-BAND AMPLIFIER DESCRIPTION TheUPC2708TandUPC2711TareSiliconMonolithicintegratedcircuitsmanufacturedusingtheNESATIIIprocess.Thesedevicesaresuitableasbufferamplifiersforwide-bandapplications.Theyaredesignedforlowcostgainstagesincellularradios,GPSreceivers,DBStuners,PCN,and	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC2708TB	文件：99.12 Kbytes Page：16 Pages	5 V, SUPER MINIMOLD SILICON MMIC MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFIER DESCRIPTION TheµPC2708TBisasiliconmonolithicintegratedcircuitdesignedasbufferamplifierforBS/CStuners.ThisICispackagedinsuperminimoldpackagewhichissmallerthanconventionalminimold. TheµPC2708TBhascompatiblepinconnectionsandperformancetoµPC2708Tofconventional	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC2708TB	文件：231.2 Kbytes Page：18 Pages	BIPOLAR ANALOG INTEGRATED CIRCUIT FEATURES •High-densitysurfacemounting:6-pinsuperminimoldpackage(2.0´1.25´0.9mm) •Widebandresponse:fu=2.9GHzTYP.@3dBbandwidth •Mediumoutputpower:PO(sat)=+10dBmTYP.@f=1GHzwithexternalinductor •Supplyvoltage:VCC=4.5to5.5V •Powergain:GP=15	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC2708TB-E3	文件：99.12 Kbytes Page：16 Pages	5 V, SUPER MINIMOLD SILICON MMIC MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFIER DESCRIPTION TheµPC2708TBisasiliconmonolithicintegratedcircuitdesignedasbufferamplifierforBS/CStuners.ThisICispackagedinsuperminimoldpackagewhichissmallerthanconventionalminimold. TheµPC2708TBhascompatiblepinconnectionsandperformancetoµPC2708Tofconventional	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC2708TB-E3	文件：231.2 Kbytes Page：18 Pages	Marking：C1D；BIPOLAR ANALOG INTEGRATED CIRCUIT FEATURES •High-densitysurfacemounting:6-pinsuperminimoldpackage(2.0´1.25´0.9mm) •Widebandresponse:fu=2.9GHzTYP.@3dBbandwidth •Mediumoutputpower:PO(sat)=+10dBmTYP.@f=1GHzwithexternalinductor •Supplyvoltage:VCC=4.5to5.5V •Powergain:GP=15	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC2708T-E3	文件：140.58 Kbytes Page：6 Pages	3 GHz SILICON MMIC WIDE-BAND AMPLIFIER DESCRIPTION TheUPC2708TandUPC2711TareSiliconMonolithicintegratedcircuitsmanufacturedusingtheNESATIIIprocess.Thesedevicesaresuitableasbufferamplifiersforwide-bandapplications.Theyaredesignedforlowcostgainstagesincellularradios,GPSreceivers,DBStuners,PCN,and	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC2708TB	文件：416.77 Kbytes Page：13 Pages	BIPOLAR ANALOG INTEGRATED CIRCUIT	CEL California Eastern Labs	CEL
UPC2708TB	文件：320.16 Kbytes Page：14 Pages	5 V, SILICON MMIC MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFIER	CEL California Eastern Labs	CEL
UPC2708TB	文件：211.39 Kbytes Page：8 Pages	5 V, SUPER MINIMOLD WIDEBAND SI RFIC AMPLIFIER	CEL California Eastern Labs	CEL
UPC2708TB	文件：100.58 Kbytes Page：16 Pages	5 V, SUPER MINIMOLD SILICON MMIC MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFIER	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

详细参数

型号：
UPC2708T
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
3 GHz SILICON MMIC WIDE-BAND AMPLIFIER

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