UPA810T-T1 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频 NEC/瑞萨

图片仅供参考，请参阅产品规格书

订购数量	价格
1+	面议

厂家型号：
UPA810T-T1
产品分类：
芯片
生产厂商：
NEC/瑞萨
库存数量：
10000
产品封装：
SOT363
生产批号：
22+
库存类型：
现货库存
更新时间：
2024-4-19 17:00:00

数据手册更多货源

详细信息
规格书下载

原厂料号：UPA810T-T1品牌：NEC

绝对原装现货热卖

UPA810T-T1是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。制造商NEC/CEL生产封装SOT363/6-TSSOP，SC-88，SOT-363的UPA810T-T1晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

芯片型号：
UPA810T-T1
规格书：
下载下载2
企业简称：
RENESAS【瑞萨】详情
厂商全称：
Renesas Electronics America
中文名称：
瑞萨科技有限公司
内容页数：
8 页
文件大小：
223.98 kb
资料说明：
HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

产品参考属性

类型
描述
产品编号：
UPA810T-T1
制造商：
CEL
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
晶体管类型：
2 NPN（双）
电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
频率 - 跃迁：
4.5GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.2dB ~ 2.5dB @ 1GHz
增益：
7dB ~ 9dB
功率 - 最大值：
200mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
70 @ 7mA，3V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
100mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：
6-SO
描述：
RF TRANS 2 NPN 12V 4.5GHZ 6SO

供应商

企业：
深圳市吉利鑫科技发展有限公司
商铺：
进入商铺
联系人：
朱小姐
手机：
13554989517
询价：
电话：
0755-82809719
地址：
深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园四栋西8楼B区8c41

UPA810T-T1 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频 NEC/瑞萨

UPA810T-T1

产品参考属性

供应商

相关型号

相近型号