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UPA2719AGR	文件：357.92 Kbytes Page：9 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The μ PA2719AGR is P-Channel MOS Field Effect Transistor designed for power management applications of notebook computers and Lithium-Ion battery protection circuit. FEATURES • Low on-state resistance RDS(on)1 = 13 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −5.0 A) RDS(on)2 = 20.9 mΩ MAX. (VGS 文件：357.92 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPA2719GR	文件：358.32 Kbytes Page：9 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The μ PA2719GR is P-Channel MOS Field Effect Transistor designed for power management applications of notebook computers and Li-ion battery protection circuit. FEATURES • Low on-state resistance RDS(on)1 = 13 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −5.0 A) RDS(on)2 = 20.9 mΩ MAX. (VGS = −4.5 文件：358.32 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPA2719GR	文件：140.69 Kbytes Page：7 Pages	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET 文件：140.69 Kbytes 页数：7 Pages	NEC 瑞萨	NEC
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