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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The μ PA2716AGR is P-Channel MOS Field Effect Transistor designed for power management applications of notebook computers and Lithium-Ion battery protection circuit. FEATURES • Low on-state resistance RDS(on)1 = 7.0 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −7.0 A) RDS(on)2 = 11.3 mΩ MAX. (VGS 文件：356.01 Kbytes 页数：9 Pages | RENESAS 瑞萨 | RENESAS | ||
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The μ PA2716GR is P-Channel MOS Field Effect Transistor designed for power management applications of notebook computers and Li-ion battery protection circuit. FEATURES • Low on-state resistance RDS(on)1 = 7.0 mΩ MAX. (VGS = –10 V, ID = –7.0 A) RDS(on)2 = 11.3 mΩ MAX. (VGS = –4. 文件：366.66 Kbytes 页数：9 Pages | RENESAS 瑞萨 | RENESAS | ||
SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET 文件：149.47 Kbytes 页数：7 Pages | NEC 瑞萨 | NEC | ||
SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET | Renesas 瑞萨 | Renesas |
详细参数
- 型号：
UPA2716
- 功能描述：
MOSFET LV 8SOP
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
-
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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RENESAS/瑞萨 |
25+ |
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50000 |
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RENESAS/瑞萨 |
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SOP-8 |
60000 |
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