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UPA1870BGR-9JG中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

UPA1870BGR-9JG
厂商型号

UPA1870BGR-9JG

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

215.83 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-27 11:48:00

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UPA1870BGR-9JG规格书详情

DESCRIPTION

The μPA1870B is a switching device which can be driven

directly by a 2.5 V power source.

The μPA1870B features a low on-state resistance and

excellent switching characteristics, and is suitable for

applications such as power switch of portable machine and

so on.

FEATURES

• 2.5 V drive available

• Low on-state resistance

RDS(on)1 = 16.0 mΩ TYP. (VGS = 4.5 V, ID = 3.0 A)

RDS(on)2 = 16.5 mΩ TYP. (VGS = 4.0 V, ID = 3.0 A)

RDS(on)3 = 20.0 mΩ TYP. (VGS = 2.5 V, ID = 3.0 A)

• Built-in G-S protection diode against ESD

产品属性

  • 型号:

    UPA1870BGR-9JG

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全称:

    NEC

  • 功能描述:

    N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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