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UPA1819GR-9JG中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

UPA1819GR-9JG
厂商型号

UPA1819GR-9JG

功能描述

P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING

文件大小

75.99 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

NEC瑞萨

中文名称

日本瑞萨电子株式会社官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-27 22:59:00

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UPA1819GR-9JG规格书详情

DESCRIPTION

The µ PA1819 is a switching device that can be driven directly by a 4.0 V power source.

This device features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and is suitable for applications such as power management of notebook computers and so on.

FEATURES

• 4.0 V drive available

• Low on-state resistance

RDS(on)1 = 12 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −6.0 A)

RDS(on)2 = 18.5 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −6.0 A)

RDS(on)3 = 22 mΩ MAX. (VGS = −4.0 V, ID = −6.0 A)

• Built-in G-S protection diode against ESD

产品属性

  • 型号:

    UPA1819GR-9JG

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全称:

    NEC

  • 功能描述:

    P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
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