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UN600N32TE

MOSFET

UNSEMI

优恩半导体

技术参数

  • 类型:

    NMOS

  • VDS (V):

    60

  • VGS (V):

    ±20

  • VTH (MIN) (V):

    1.0

  • VTH (MAX) (V):

    2.0

  • ID @25°C (A):

    0.34

  • RDS(ON) @VGS=10V Typ(mΩ):

    1600

  • RDS(ON) @VGS=10V Max(mΩ):

    3000

  • RDS(ON) @VGS=4.5V Typ.(mΩ):

    2000

  • RDS(ON) @VGS=4.5V Max(mΩ):

    5000

  • RDS(ON) @VGS=2.5V Typ.(mΩ):

    /

  • ESD:

    YES

  • AEC-Q101:

    NO

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更多UN60供应商 更新时间2025-11-14 11:10:00