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GaAsHETEROJUNCTIONBIPOLARTRANSISTOR LtoSBANDLOWNOISEAMPLIFIER NPNGaAsHBT FEATURES ·ForLowNoise&HighGainamplifiers NF=1.0dBTYP.Ga=15.0dBTYP.MSG=15.0dBTYP.(@f=2GHz,VCE=2V,IC=3mA,ZS=ZL=50W) OIP3=15dBmTYP.(@f=2GHz,VCE=2V,IC=3mA,ZS=ZL=50W) ·4-pinsuperminimold | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
LTOSBANDLOWNOISEAMPLIFIERNPNGaAsHBT | NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社 | NEC | ||
LtoSBANDLOWNOISEAMPLIFIERNPNGaAsHBT FEATURES •HIGHPOWERGAIN:GA=15dBTYPatf=2GHZ,VCE=2V,IC=3mA,ZS=ZL=50Ω •LOWNOISE:NF=1.0dBTYPatf=2GHZ,VCE=2V,IC=3mA,ZS=ZL=50Ω •OIP3=15dBmTYPatf=2GHZ,VCE=2V,IC=3mA,ZS=ZL=50Ω •4PINSUPERMINIMOLDPACKAGE •GROUNDEDEMITT | NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社 | NEC |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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