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详细参数

型号：
ULN2003APWE4
功能描述：
达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
配置：
Octal
晶体管极性：
NPN 集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
集电极—基极电压
最大直流电集电极电流：
0.5 A
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-18
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多ULN2003APWE4供应商更新时间2025-10-3 16:17:00

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