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UID4N60	文件：3.26779 Mbytes Page：4 Pages	N-Ch 600V Fast Switching MOSFETs	UNITPOWER Unitpower Technology Limited	UNITPOWER
UT4N60F	文件：3.73639 Mbytes Page：5 Pages	N-Ch600VFastSwitchingMOSFETs	XINDEYI ShenZhen XinDeYi Electronics Co., Ltd.	XINDEYI
UTC4N60	文件：1.09024 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
UTC4N60L	文件：432.12 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
WFD4N60	文件：510.5 Kbytes Page：7 Pages	SiliconN-ChannelMOSFET	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
WFD4N60	文件：1.07899 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
WFD4N60B	文件：1.07901 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
WFD4N60B	文件：510.8 Kbytes Page：7 Pages	SiliconN-ChannelMOSFET	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
WFF4N60	文件：647.68 Kbytes Page：7 Pages	SiliconN-ChannelMOSFET	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
WFF4N60	文件：743.23 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelMOSFET Features □LowIntrinsicCapacitances □ExcellentSwitchingCharacteristics □ExtendedSafeOperatingArea □UnrivalledGateCharge:Qg=15nC(Typ.) □BVDSS=600V,ID=4A □RDS(on):2.3Ω(Max)@VG=10V □100AvalancheTested	WISDOM Wisdom technologies Int`l	WISDOM

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深圳市易讯博科技有限公司	UIE48T10120-NDA0G	Bel	22+	NA	80	加我QQ或微信咨询更多详细信息,	询价
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更多UID4N60供应商更新时间2025-5-20 16:00:00

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