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TW030N120C

文件：525.54 Kbytes

Page：10 Pages

MOSFETsSiliconCarbideN-ChannelMOS

Features (1)Chipdesignof3rdgeneration(Built-inSiCschottkybarrierdiode) (2)Lowdiodeforwardvoltage:VDSF=-1.35V(typ.) (3)Highvoltage:VDSS=1200V (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=30m Ω(typ.) (5)Lesssusceptibletomalfunctionduetohighthresholdvoltage:

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

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