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71256SA	文件：191.21 Kbytes Page：9 Pages	CMOSStaticRAM256K(32Kx8-Bit) Features ◆32Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆Commercial(0°to70°C)andIndustrial(-40°to85°C) temperatureoptions ◆Equalaccessandcycletimes –Commercial:12ns –CommercialandIndustrial:15/20/25ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainp	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
IDT71256	文件：78.12 Kbytes Page：9 Pages	CMOSSTATICRAM256K(32Kx8-BIT) DESCRIPTION: TheIDT71256isa262,144-bithigh-speedstaticRAMorganizedas32Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh performance,high-reliabilityCMOStechnology. FEATURES: •High-speedaddress/chipselecttime —Military:25/30/35/45/55/70/85/100/120/150ns(max.)	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71256	文件：61.12 Kbytes Page：8 Pages	CMOSSTATICRAM256K(32Kx8-BIT) Description TheIDT71256SAisa262,144-bithigh-speedStaticRAMorganizedas32Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwith innovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionfor	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71256L	文件：78.12 Kbytes Page：9 Pages	CMOSSTATICRAM256K(32Kx8-BIT) DESCRIPTION: TheIDT71256isa262,144-bithigh-speedstaticRAMorganizedas32Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh performance,high-reliabilityCMOStechnology. FEATURES: •High-speedaddress/chipselecttime —Military:25/30/35/45/55/70/85/100/120/150ns(max.)	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
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IDT71256SA	文件：260.56 Kbytes Page：8 Pages	CMOSStaticRAM256K(32Kx8-Bit)Lowpowerconsumptionviachipdeselect	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
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TPS71256	文件：546.31 Kbytes Page：28 Pages	SYNCHRONOUSSEPIC/FLYBACKCONVERTERWITH1.1ASWITCHANDINTEGRATEDLDO	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TPS71256	文件：368.72 Kbytes Page：15 Pages	Dual250mAOutput,UltraLowNoise,HighPSRR,Low-DropoutLinearRegulator	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
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