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U65113数据手册UN-SEMI中文资料规格书

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厂商型号

U65113

功能描述

高性能、低成本的原边控制功率开关

制造商

UN-SEMI Shenzhen Youen Semiconductor Co., Ltd

中文名称

友恩半导体 深圳市友恩半导体有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 18:06:00

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U65113规格书详情

描述 Description

5W小功率电源管理芯片U65113是一款高性能、低成本的原边控制功率开关,内置超高压功率BTJ,谷底开通、原边控制、系统效率高,多模式原边控制方式,优异的动态响应,集成动态三极管驱动电路,可提供高精度恒压和恒流输出性能,尤其适合于小功率离线式充电器应用。\r
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▲系统启动\r
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在芯片开始工作之前,电源管理芯片U65113仅消耗典型值为1.1uA 的启动电流,超低启动电流可以帮助增加启动电阻阻值以达到降低待机功耗的目的。当 VDD 电压超过开启电压 (典型值 10V),芯片开始工作并且工作电流上升到 0.18mA (典型值)。之后VDD 电容持续为芯片供电直至输出电压建立后由辅助绕组为芯片供电。一旦芯片进入到超低频工作模式中,工作电流便进一步降低到 0.14mA(典型值),以帮助降低系统待机功耗。\r
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▲原边恒压控制(PSR-CVM)\r
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在原边控制技术中,当原边向副边传输能量时,通过采样与副边绕组耦合的辅助绕组电压,得到输出电压反馈信号。当恒压采样过程结束时,内部的采样保持模块记录下反馈误差并通过内部的误差运算放大器将其放大。原边恒压控制模块利用误差运算放大器的输出实现高精度的恒压输出。芯片内部恒压输出基准为高精度的 1.25V。在恒压采样过程中,电源管理芯片U65113内部有一可变电流源从 FB 管脚流出用作线损补偿,由此将在 FB 波形上产生一个电压阶梯。在重载模式下,模式识别模块将根据误差运算放大器的输出自动控制进入恒流模式中。\r
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▲原边恒流控制 (PSR-CCM)\r
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电源管理芯片U65113利用 FB 管脚电压和 CS 管脚电压的时序关系,可以实现高精度的恒流输出控制。在恒压输出模式当系统输出功率增加且接近恒流输出控制点时,原边电感电流达到其最大值。原边电感电流、变压器匝比、副边消磁时间(Tdem)和开关周期时间(Tsw)决定了副边平均输出电流。当输出电流达到原边恒流控制模块的输出基准时,芯片将进入调频工作模式中,无论输出电压低于恒压输出基准或者具体如何,只要 VDD 电压不低于其关断电压芯片将持续工作。在 U65113 内部,在恒流输出模式中消磁时间Tdem 与开关周期 Tsw 的比例被严格控制为 1/2。\r
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▲内置完善的保护功能\r
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电源管理芯片U65113集成有多种保护功能:如 VDD 欠压保护 (UVLO)、VDD 过压保护 (OVP)、逐周期限流保护(OCP)、短路保护 (FB SLP)、输出过压保护 (FB OVP)、过热保护 (OTP) 和 VDD 箝位等。U65113 还集成有电源系统单点失效保护,在 FB上拉电阻开路、FB 下拉电阻开路、FB 下拉电阻短路、输出二极管或者 SR 开路、输出二极管或者 SR 短路、变压器绕组短路、RCS 开路等故障条件下均能实现保护。

特性 Features

准谐振多模式控制(QR-PSR):六级能效标准
超宽VDD工作范围:5V-21V,满足多规格变压器供电需求
待机功耗<75mW
CC&CV精度:<±4%
优化的动态控制,优异的动态响应能力
优化的环路控制:工作稳定、无异音
集成线损补偿技术
集成线电压、电感恒流补偿技术
VDD欠压保护(UVLO)\\VDD过压保护(OVP)\\过热保护(OTP)\\逐周期电流限制
过载保护(OLP)\\前沿消隐(LEB)\\CS管脚开路保护
封装形式(SOP-7)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
UNI-SEMI宇力半导体
24+
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