选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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佛山市芯光达科技有限公司8年
留言
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ROHMUMT5 |
200000 |
2019 |
主营ROHM进口原装假一赔十可开增值票 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ROHM/罗姆SOT363 |
7906200 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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ROHM/罗姆SOT-363 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市鼎欣微电子有限公司4年
留言
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ROHM/罗姆SOT-363 |
20000 |
21+ |
只做正品原装现货 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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CJ/长电SOT-363 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市金泰福电子科技有限公司1年
留言
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CJ/长晶SOT-363 |
30000 |
24+ |
长晶全系列二三极管原装优势供应,欢迎询价 |
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深圳市麒裕半导体科技有限公司1年
留言
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TI原厂封装 |
50000 |
全新年份 |
性价比之王一站式配单,可靠、高效、价格好 |
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深圳市汇创佳电子科技有限公司6年
留言
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ROHM(罗姆)SC-70-6 |
30 |
22+ |
QQ询价 绝对原装正品 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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ROHM/罗姆SOT-363-6 |
153357 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市正纳电子有限公司7年
留言
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ROHM/罗姆SOT-363 |
32078 |
ROHS环保 |
十年以上分销商原装进口件服务型企业0755-83790645 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美SOT363 |
7906200 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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ON/安森美SMD |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市凯美芯科技有限公司1年
留言
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ROHMSOT-363 |
3000 |
21+ |
只做原装,原装现货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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ON/安森美SOT-363 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市安博威科技有限公司4年
留言
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ROHMUMT6 (SOT-363) (SC-88) |
30000 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
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深圳市航宇科工半导体有限公司3年
留言
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ROHM/罗姆SOT363 |
600000 |
22+ |
航宇科工半导体-央企优秀战略合作伙伴! |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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ROHM/罗姆SOT-363 |
32078 |
23+ |
10年以上分销商,原装进口件,服务型企业 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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ROHM进口原装 |
8811 |
23+ |
全新原装热卖/假一罚十!更多数量可订货 |
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深圳市索歌特科技有限公司10年
留言
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24000 |
22+ |
华南区总代 |
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佛山市芯光达科技有限公司8年
留言
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ROHM(罗姆)UMT6 |
74243 |
23+ |
进口原装假一赔十可开增值票 |
UMZ1N采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
UMZ1N图片
UMZ1NT1G价格
UMZ1NT1G价格:¥0.1601品牌:ONSemi
生产厂家品牌为ONSemi的UMZ1NT1G多少钱,想知道UMZ1NT1G价格是多少?参考价:¥0.1601。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,UMZ1NT1G批发价格及采购报价,UMZ1NT1G销售排行榜及行情走势,UMZ1NT1G报价。
UMZ1NTR中文资料Alldatasheet PDF
更多UMZ1N制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Bipolar Junction Transistor, Pair, Complementary, SOT-363
UMZ1NT1功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 60V Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
UMZ1NT1/D功能描述:Complimentary Dual General Purpose Transistors
UMZ1NT1G功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 60V Dual Complementary RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
UMZ1NTR功能描述:两极晶体管 - BJT NPN/PNP 50V 150MA SOT-363 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-N/P
- 性质:
表面帖装型 (SMD)
- 封装形式:
贴片封装
- 极限工作电压:
50V
- 最大电流允许值:
0.1A
- 最大工作频率:
180MHZ
- 引脚数:
6
- 可代换的型号:
- 最大耗散功率:
- 放大倍数:
- 图片代号:
H-23
- vtest:
50
- htest:
180000000
- atest:
.1
- wtest:
0