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8090	文件：61.31 Kbytes Page：1 Pages	ThermalCutoff	NTE NTE Electronics	NTE
8090	文件：104.09 Kbytes Page：2 Pages	CABLECLAMPSANDTIES	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
8090	文件：3.18812 Mbytes Page：60 Pages	IntroductiontoKnowlesPrecisionDevices Applications RFamplifier LCFiltersandNetworks BroadbandWirelessLAN MedicalDevices CordlessandCellularphones DR/CrystalOscillator Microstriplinefilters	KNOWLESKnowles Electronics 楼氏电子楼氏电子(苏州)有限公司	KNOWLES
8090S	文件：256.25 Kbytes Page：8 Pages	OFF-LINEQUASI-RESONANTFLYBACKSWITCHINGREGULATOR FEATURES ■Quasi-ResonantOperation ■OutputPowerto120W ■Low-Loss,Pulse-Ratio-ControlStandbyMode ■Temperature-CompensatedPulse-by-PulseOver-CurrentProtection ■LatchedOver-VoltageandThermalProtection ■Under-VoltageLockoutwithHysteresis ■ActiveLow-PassFilterforEnhanc	ALLEGRO Allegro MicroSystems	ALLEGRO
AN8090	文件：191.58 Kbytes Page：6 Pages	OVERVOLTAGEPROTECTIVECIRCUIRSBUILT-INSWITCHINGPOWERSUPPLY Overview TheAN8090andtheAN8090Senableshigh-speedcontrolupto500kHzandhavevariousprotectivefunctionsforover-current,overvoltage,andthermalprotectionnordertoimprovereliabilityofthepowersupply.	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
AN8090S	文件：191.58 Kbytes Page：6 Pages	OVERVOLTAGEPROTECTIVECIRCUIRSBUILT-INSWITCHINGPOWERSUPPLY Overview TheAN8090andtheAN8090Senableshigh-speedcontrolupto500kHzandhavevariousprotectivefunctionsforover-current,overvoltage,andthermalprotectionnordertoimprovereliabilityofthepowersupply.	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
AND8090	文件：896.72 Kbytes Page：20 Pages	ACCharacteristicsofECLDevices	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
AND8090D	文件：156.81 Kbytes Page：11 Pages	3.3V/5VECL2-InputDifferentialXOR/XNOR Description TheMC10/100EP08isadifferentialXOR/XNORgate.TheEP08isidealforapplicationsrequiringthefastestACperformanceavailable. The100Seriescontainstemperaturecompensation. Features •250psTypicalPropagationDelay •MaximumFrequency>3GHzTypical •PECLModeOpera	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
AND8090D	文件：896.72 Kbytes Page：20 Pages	ACCharacteristicsofECLDevices	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
APT8090AN	文件：309.99 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=10.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.9Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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