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| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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GaAsINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Lowinsertionloss:LINS=0.28dBTYP.@ANT-RF2,Vcont=+2.4V/0V,f=1.0GHz :LINS=0.38dBTYP.@ANT-RF2,Vcont=+2.4V/0V,f=2.0GHz •Highpower:Pin(0.1dB)=32.0dBmTYP.@Vcont=+2.4V/0V,f=1.0GHz •High-densitysurfacemounting:10-pinplasticTSONpa | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
L-BANDSP3TSWITCH | NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社 | NEC | ||
TrenchMOSBarrierSchottkyRectifierforPVSolarCellBypassProtection | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
DualLow-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
TrenchMOSBarrierSchottkyRectifierforPVSolarCellBypassProtection | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
TrenchMOSBarrierSchottkyRectifier | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
TrenchMOSBarrierSchottkyRectifierforPVSolarCellBypassProtection FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderbathtemperature275°Cmax.10s, perJESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATION | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
TrenchMOSBarrierSchottkyRectifierforPVSolarCellBypassProtection | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
DualLow-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
TrenchMOSBarrierSchottkyRectifierforPVSolarCellBypassProtection | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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