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D1950	文件：255.27 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORPOWERMINIMOLD DESCRIPTION The2SD1950isdesignedforgeneral-purposeapplicationsrequiringHighDCCurrentGain. Thisissuitableforallkindofdrivingormuting. FEATURES ●HighDCCurrentGainandGoodhFElinearity. hFE=800to3200(VCE=5.0V,IC=1.0A) ●LowCollectorSaturationVoltage.	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
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更多TTVG-1950供应商更新时间2024-6-1 9:00:00

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