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| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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InfraredEmittingDiode,950nm,GaAs | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
InfraredEmittingDiode,950nm,GaAs | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
InfraredEmittingDiode | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
InfraredEmittingDiode,950nm,GaAs | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
InfraredEmittingDiode,RoHSCompliant,950nm,GaAs DESCRIPTION TSUS5200isaninfrared,950nmemittingdiodeinGaAstechnologymoldedinablue-graytintedplasticpackage. FEATURES •Packagetype:leaded •Packageform:T-1¾ •Dimensions(inmm):Ø5 •Leadswithstand-off •Peakwavelength:λp=950nm •Highreliability •Angleofha | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
PowerAmplifierApplications | JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司 | JSMC | ||
BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA | ||
150WattSiliconEpitaxialPlanarNPNPowerTransistors | THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司 | THINKISEMI | ||
SiliconNPNtriplediffusionplanartransistor15A/230V/150W | NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼尔半导体尼尔半导体股份有限公司 | NELLSEMI | ||
PowerAmplifierApplications | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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