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TSM9N90	文件：429.8 Kbytes Page：10 Pages	900V N-Channel Power MOSFET General Description The TSM9N90 N-Channel enhancement mode Power MOSFET is produced by planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche a 文件：429.8 Kbytes 页数：10 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM9N90	文件：300 bytes Page：1 Pages	900V N-Channel Power MOSFET	TSC 台湾半导体	TSC
TSM9N90_1311	文件：491.56 Kbytes Page：10 Pages	900V N-Channel Power MOSFET 文件：491.56 Kbytes 页数：10 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
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TSM9N90CZC0G	文件：491.56 Kbytes Page：10 Pages	900V N-Channel Power MOSFET 文件：491.56 Kbytes 页数：10 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM9N90E	文件：882.53 Kbytes Page：8 Pages	900V, 9A, 1.4廓 N-Channel Power MOSFET 文件：882.53 Kbytes 页数：8 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM9N90ECIC0G	文件：882.53 Kbytes Page：8 Pages	900V, 9A, 1.4廓 N-Channel Power MOSFET 文件：882.53 Kbytes 页数：8 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM9N90ECZC0G	文件：882.53 Kbytes Page：8 Pages	900V, 9A, 1.4廓 N-Channel Power MOSFET 文件：882.53 Kbytes 页数：8 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM9N90ECI	文件：300 bytes Page：1 Pages	900V, 9A, Single N-Channel Power MOSFET	TSC 台湾半导体	TSC
TSM9N90ECZ	文件：300 bytes Page：1 Pages	900V, 9A, Single N-Channel Power MOSFET	TSC 台湾半导体	TSC

技术参数

Type：
N-Channel
Technology：
Planar
Configuration：
Single
Status：
NRND
AEC-Q：
No
VDS (V)：
900
VGS ±(V)：
30
ID Max. (A)：
9
TJ Max. (°C)：
150
RDS(ON) @ 10V Max. (mΩ)：
1400
RDS(ON) @ 10V Typ. (mΩ)：
1130
Qg (nC) @ 10V：
72
Qgd (nC)：
31
Qgs (nC)：
11
Ciss (pF)：
2470
Coss (pF)：
192
Crss (pF)：
27
VGS(th) Max. (V)：
4
VGS(th) Min. (V)：
2

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