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TSM9926D	文件：131.88 Kbytes Page：3 Pages	20V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：131.88 Kbytes 页数：3 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM9926D	文件：388.17 Kbytes Page：6 Pages	20V Dual N-Channel MOSFET 文件：388.17 Kbytes 页数：6 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM9926DCSRL	文件：1.14664 Mbytes Page：7 Pages	Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：1.14664 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
TSM9926D_07	文件：388.17 Kbytes Page：6 Pages	20V Dual N-Channel MOSFET 文件：388.17 Kbytes 页数：6 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM9926D_08	文件：390.48 Kbytes Page：6 Pages	20V Dual N-Channel MOSFET 文件：390.48 Kbytes 页数：6 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM9926DCS	文件：388.17 Kbytes Page：6 Pages	20V Dual N-Channel MOSFET 文件：388.17 Kbytes 页数：6 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM9926DCS	文件：2.40563 Mbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：2.40563 Mbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
TSM9926DCSRL	文件：390.48 Kbytes Page：6 Pages	20V Dual N-Channel MOSFET 文件：390.48 Kbytes 页数：6 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM9926DCX6	文件：131.88 Kbytes Page：3 Pages	20V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：131.88 Kbytes 页数：3 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM9926D	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V Dual N-Channel MOSFET	TSC 台湾半导体	TSC

技术参数

Type：
N-Channel
Technology：
Trench
Configuration：
Dual
Status：
Active
AEC-Q：
No
VDS (V)：
20
VGS ±(V)：
12
ID Max. (A)：
6
TJ Max. (°C)：
150
RDS(ON) @ 4.5V Max. (mΩ)：
30
RDS(ON) @ 4.5V Typ. (mΩ)：
21
RDS(ON) @ 2.5V Max. (mΩ)：
40
RDS(ON) @ 2.5V Typ. (mΩ)：
30
Qg (nC) @ 4.5V：
7.1
Qgd (nC)：
1.4
Qgs (nC)：
0.92
Ciss (pF)：
562
Coss (pF)：
106
Crss (pF)：
75
MSL：
3
VGS(th) Max. (V)：
1.2
VGS(th) Min. (V)：
0.6
VGS(th) Typ. (V)：
0.85

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