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TSD1N21A829MLV0H9T	文件：331.61 Kbytes Page：2 Pages	Multilayer Ceramic Devices (Diplexers)for 5G Features Item Summary Diplexer, 2.0x1.25x1.0mm for LTE/5G Lifecycle Stage Mass Production (Preferred) Standard packaging quantity (minimum) Taping Embossed 5000pcs 文件：331.61 Kbytes 页数：2 Pages	TAIYO-YUDEN 太阳诱电	TAIYO-YUDEN
TSD1N21A829MLV0H9T	文件：300 bytes Page：1 Pages	陶瓷RF元件(双工器)for 5G for 5G NR\n\nfor EN-DC\n\nStable temperature characteristics\n\nPlease confirm the detailed information with sales person.;	TaiyoYuden 太阳诱电	TaiyoYuden
TSD5N50	文件：0 bytes Page：0 Pages	TRUESEMI TO-252	Truesemi 信安半导体上传：深圳市昌和盛利电子有限公司	Truesemi
TSER953RHBT	文件：0 bytes Page：0 Pages	TI VQFN-32	TI 德州仪器上传：深圳市恒佳微电子有限公司	TI
TSF20N60S	文件：0 bytes Page：0 Pages	信安 TO-220F	信安上传：深圳市恒美兴电子有限公司	信安

技术参数

衰减量2 (min)(f1)：
30 dB at 1559 to 2700MHz
供应体制：
量产(推荐)
频率2定义：
High band
System：
LTE/5G
通带频率2 (f2)：
1427 to 5925 MHz
频率1定义：
Low band
插入损耗2 (max)(in f2)：
0.9 dB at 1427 to 5925MHz (-40 to +85 ℃)
通带频率1 (f1)：
617 to 960 MHz
VSWR1 (max)(in f2)：
2 at 1427 to 5925
插入损耗2 (max)(in f1)：
0.85 dB at 617 to 960MHz (-40 to +85 ℃)
衰减量1 (min)(f2)：
15 dB at 617 to 699MHz
VSWR1 (max)(in f1)：
2 at 617 to 960MHz
衰减量2 (min)(f2)：
17 dB at 699 to 960MHz
衰减量1 (min)(f1)：
25 dB at 1427 to 1511MHz
输入阻抗 / 输出阻抗：
50 Ω / 50 Ω
尺寸 (L)：
2.0 ±0.15 mm
尺寸 (W)：
1.25 ±0.15 mm
尺寸 (T)：
Max 1.0 mm
使用温度范围：
-40 to +85 ℃
RoHS Compliance (10 subst.)：
Yes
REACH Compliance (240 subst.)：
Yes
IEC62474 (Ver. D28.00) Compliance：
Yes
Halogen Free：
Yes
适用焊接方法：
Reflow
包装：
Taping Embossed 5000pcs

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
上海皇华信息科技有限公司	TSD1N21A829MLV0H9T	Taiyo Yuden	21+		3000	Taiyo授权代理,自营现货	询价
深圳市德正通电子有限公司	TSD1N21A829MLV0H9T	Taiyo Yuden	23+		3000	原装正品现货,德为本,正为先,通天下!	询价
深圳市铭威达电子科技有限公司	TSD1N21C1G70LV0CLT				3000	原装现货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	TSD1N60	T	DPAK	22+	6000	十年配单,只做原装	询价
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更多TSD1N21A829MLV0H9T供应商更新时间2025-10-4 14:01:00

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