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TSC5303D	文件：383.74 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage NPN Transistor with Diode Features ● Build-in Free-wheeling Diode Makes Efficient Anti-saturation Operation ● No Need to Interest an hFE Value Because of Low Variable Storage-time Spread Even Though Comer Spirit Product. ● Low Base Drive Requirement ● Suitable for Half Bridge Light Ballast Application 文件：383.74 Kbytes 页数：6 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSC5303D	文件：1.03913 Mbytes Page：6 Pages	High Voltage NPN Transistor with Diode 文件：1.03913 Mbytes 页数：6 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSC5303DCHC5	文件：383.74 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage NPN Transistor with Diode Features ● Build-in Free-wheeling Diode Makes Efficient Anti-saturation Operation ● No Need to Interest an hFE Value Because of Low Variable Storage-time Spread Even Though Comer Spirit Product. ● Low Base Drive Requirement ● Suitable for Half Bridge Light Ballast Application 文件：383.74 Kbytes 页数：6 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSC5303DCPRO	文件：383.74 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage NPN Transistor with Diode Features ● Build-in Free-wheeling Diode Makes Efficient Anti-saturation Operation ● No Need to Interest an hFE Value Because of Low Variable Storage-time Spread Even Though Comer Spirit Product. ● Low Base Drive Requirement ● Suitable for Half Bridge Light Ballast Application 文件：383.74 Kbytes 页数：6 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSC5303D_14	文件：1.03913 Mbytes Page：6 Pages	High Voltage NPN Transistor with Diode 文件：1.03913 Mbytes 页数：6 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSC5303DCHC5G	文件：1.03913 Mbytes Page：6 Pages	High Voltage NPN Transistor with Diode 文件：1.03913 Mbytes 页数：6 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSC5303DCPROG	文件：1.03913 Mbytes Page：6 Pages	High Voltage NPN Transistor with Diode 文件：1.03913 Mbytes 页数：6 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSC5303D	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Voltage NPN Transistor with Diode	TSC 台湾半导体	TSC
TSC5303DCH	文件：300 bytes Page：1 Pages	TO-251 (I-PAK), 700V, 3A, NPN Bipolar Transistor	TSC 台湾半导体	TSC
TSC5303DCHC5G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 400V 3A TO251	Taiwan Semiconductor Corporation	Taiwan Semiconductor Corporation

技术参数

Polarity：
NPN
Status：
NRND
AEC-Q：
No
IC (A)：
3
VCEO (V)：
400
VCBO (V)：
700
DC Current Gain hFE Min.：
8
DC Current Gain hFE Max.：
25
VCE Sat. (V)：
3
VEBO (V)：
9

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