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UC-2102-LX	文件：2.18568 Mbytes Page：8 Pages	ArmCortex-A8600MHzpalm-sizedIIoTgateway	moxaMOXA 台湾摩莎摩莎科技（上海）有限公司	moxa
UM2102	文件：113.95 Kbytes Page：3 Pages	PINDIODE DESCRIPTION UM2100SeriesPINdiodesaredesignedfortransmit/receiveswitchandattenuatorapplicationsinHFband(2-30MHz)andbelow.Asseriesconfiguredswitches,theselonglifetime(25μstypical)diodescancontrolupto2.5kW,CWina50ohmsystem.InHFband,insertionlossisless	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
UM2102	文件：299.03 Kbytes Page：6 Pages	ATTENUATORANDPOWERPINDIODES2??30MHz	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
UM2102B	文件：2.81601 Mbytes Page：221 Pages	ProductChangeNotification	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
UPD2102AL	文件：200.63 Kbytes Page：4 Pages	simplememoryexpansion-chipenableinput	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
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VBA2102M	文件：698.55 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel100-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100Rg andUISTested APPLICATIONS •ActiveClampinIntermediateDC/ DCPowerSupplies •H-BridgeHighSideSwitchfor LightingApplication	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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VBE2102M	文件：686.61 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel100V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PowerSwitch •DC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBE2102N	文件：619.12 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel100-V(D-S)175°CMOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

产品属性

产品编号：
TSC2102IDA
制造商：
Texas Instruments
类别：
集成电路（IC） > 触摸屏控制器
包装：
卷带（TR）
触摸屏：
4 线电阻式
分辨率（位）：
12 b
接口：
SPI
电压基准：
外部，内部
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
32-TSSOP（0.240"，6.10mm 宽）
供应商器件封装：
32-TSSOP
描述：
IC SCREEN CNTRL 12BIT 32TSSOP

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