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| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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PowerMOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
600VN-ChannelPowerMOSFET | TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司 | TSC | ||
N-Channel650V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
600VN-ChannelPowerMOSFET | TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司 | TSC | ||
600VN-ChannelPowerMOSFET | TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司 | TSC | ||
600VN-ChannelPowerMOSFET | TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司 | TSC | ||
N-Channel650V(D-S)MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
600V,4A,2.5廓N-ChannelPowerMOSFET | TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司 | TSC | ||
600V,4A,2.5廓N-ChannelPowerMOSFET | TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司 | TSC |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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