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TSB1386CY中文资料PDF规格书

TSB1386CY
厂商型号

TSB1386CY

功能描述

Low Frequency PNP Transistor

文件大小

116.51 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 Taiwan Semiconductor Company, Ltd
企业简称

TSC台半

中文名称

台湾半导体股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-8 22:59:00

产品属性

  • 型号:

    TSB1386CY

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT Low Frequency PNP transistor

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

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