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TS861IDT	文件：304.36 Kbytes Page：15 Pages	RAIL TO RAIL MICROPOWER BICMOS COMPARATORS DESCRIPTION TheTS86x(Single,Dual&Quad)isaRailtoRailcomparatorcharacterizedfor2.7Vto10Voperationover-40°Cto+85°Ctemperaturerange.Itexhibitsanexcellentspeedtopowerratio,featuringacurrentconsumptionof6µApercomparatorandaresponsetimeof500nsat2.7Vfor	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TS861IDT	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）比较器描述：IC COMP BICMOS R-R MCRPWR 8SOIC	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TS861ILT	文件：304.36 Kbytes Page：15 Pages	RAILTORAILMICROPOWERBICMOSCOMPARATORS DESCRIPTION TheTS86x(Single,Dual&Quad)isaRailtoRailcomparatorcharacterizedfor2.7Vto10Voperationover-40°Cto+85°Ctemperaturerange.Itexhibitsanexcellentspeedtopowerratio,featuringacurrentconsumptionof6µApercomparatorandaresponsetimeof500nsat2.7Vfor	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TS861IN	文件：472.97 Kbytes Page：19 Pages	Rail-to-railmicropowerBiCMOScomparators DESCRIPTION TheTS86x(Single,Dual&Quad)isaRailtoRailcomparatorcharacterizedfor2.7Vto10Voperationover-40°Cto+85°Ctemperaturerange.Itexhibitsanexcellentspeedtopowerratio,featuringacurrentconsumptionof6µApercomparatorandaresponsetimeof500nsat2.7Vfor	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
UPA861TD	文件：271.83 Kbytes Page：11 Pages	NPNSILICONRFTWINTRANSISTOR	CEL California Eastern Labs	CEL
UPA861TD	文件：129.4 Kbytes Page：10 Pages	NECsNPNSILICONRFTWINTRANSISTOR DESCRIPTION NECsUPA861TDcontainsoneNE894andoneNE687NPNhighfrequencysiliconbipolarchip.TheNE894isanexcellentoscillatorchip,featuringhighfTandlowcurrent,lowvoltageoperation.TheNE687isanexcellentbuffertransistor,featuringlownoiseandhighgain.NECsnewultras	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA861TD	文件：388.65 Kbytes Page：30 Pages	NPNSILICONRFTWINTRANSISTOR NPNSILICONRFTRANSISTOR(WITH2DIFFERENTELEMENTS) INA6-PINLEAD-LESSMINIMOLD FEATURES •Lowvoltageoperation •2differentbuilt-intransistors(2SC5436,2SC5786) Q1:High-gaintransistor fT=12.0GHzTYP.,½S21e½2=9.0dBTYP.@VCE=1V,IC=10mA,f=2GHz Q2:Lowphasedi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
XCSPL861	文件：97.57 Kbytes Page：2 Pages	safetyswitchXCSPL-straightlever-torightortoleft-1NC2NO-Pg11	SCHNEIDERSchneider Electric 施耐德施耐德电气	SCHNEIDER
XCSTL861	文件：114.8 Kbytes Page：2 Pages	safetyswitchXCSTL-straightlever-torightortoleft-3NC-Pg11	SCHNEIDERSchneider Electric 施耐德施耐德电气	SCHNEIDER
XCSTR861	文件：102.35 Kbytes Page：2 Pages	safetyswitchXCSTR-spindle80mm-3NC-Pg11	SCHNEIDERSchneider Electric 施耐德施耐德电气	SCHNEIDER

产品属性

产品编号：
TS861IDT
制造商：
STMicroelectronics
类别：
集成电路（IC） > 比较器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
类型：
通用
输出类型：
推挽式
电压 - 供电，单/双 (±)：
2.7V ~ 10V
电压 - 输入补偿（最大值）：
15mV @ 5V
电流 - 输入偏置（最大值）：
300pA @ 5V
电流 - 静态（最大值）：
16µA
CMRR，PSRR（典型值）：
70dB CMRR
传播延迟（最大值）：
2µs
工作温度：
-40°C ~ 85°C
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
安装类型：
表面贴装型
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC COMP BICMOS R-R MCRPWR 8SOIC

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