TPT5609

TRANSISTOR (NPN)

FEATURES Powerdissipation PCM:1W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:1A Collector-basevoltage V(BR)CBO:25V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

TPT5609

TO-92L Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●ExcellentLinearityofCurrentGain ●Lowsaturationvoltage ●ComplementarytoTPT5610

TPT5609

TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:1W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:1A Collector-basevoltage V(BR)CBO:25V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

TPT5609

NPN Epitaxial Silicon Transistor

Features •ExcellentlinearityofCurrentGain •Lowsaturationvoltage •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF

TPT5609

NPN Epitaxial Silicon Transistor

TPT5609

TRANSISTOR (NPN)

TPT5609_13

NPN Epitaxial Silicon Transistor

TPT5609-A-AP

Package：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线；包装：带盒（TB） 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS NPN 20V 1A TO92

TPT5609-B-AP

Package：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线；包装：带盒（TB） 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS NPN 20V 1A TO92

TPT5609-C-AP

Package：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线；包装：带盒（TB） 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS NPN 20V 1A TO92