TPS7H60x3-SP Radiation-Hardness-Assured 1.3-A, 2.5-A, Half Bridge GaN FET Gate Drivers

1 Features • Radiation Performance: – Radiation-hardness-assurance (RHA) up to total ionizing dose (TID) of 100 krad(Si) – Single-event latchup (SEL), single-event burnout (SEB), and single-event gate rupture (SEGR) immune to linear energy transfer (LET) = 75 MeV-cm2/mg – Single-event tran

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TPS7H60x3-SP Radiation-Hardness-Assured 1.3A, 2.5A, Half Bridge GaN FET Gate Drivers

1 Features • Radiation Performance: – Radiation-hardness-assurance (RHA) up to total ionizing dose (TID) of 100krad(Si) – Single-event latchup (SEL), single-event burnout (SEB), and single-event gate rupture (SEGR) immune to linear energy transfer (LET) = 75MeV-cm2/mg – Single-event transi

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TPS7H60x3-SP Radiation-Hardness-Assured 1.3A, 2.5A, Half Bridge GaN FET Gate Drivers

1 Features • Radiation Performance: – Radiation-hardness-assurance (RHA) up to total ionizing dose (TID) of 100krad(Si) – Single-event latchup (SEL), single-event burnout (SEB), and single-event gate rupture (SEGR) immune to linear energy transfer (LET) = 75MeV-cm2/mg – Single-event transi

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Radiation-hardened, QMLV 22V half-bridge GaN gate driver

TPS7H60x3-SP 系列耐辐射保障 (RHA) 氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 栅极驱动器专为高频、高效率应用而设计。该系列包括 TPS7H6003-SP（200V 等级）、TPS7H6013-SP（60V 等级）和 TPS7H6023-SP（22V 等级）。这些驱动器具有可调节死区时间功能、30ns 低传播延迟，以及 5.5ns 的高侧和低侧匹配。这些器件还包括内部高侧和低侧 LDO，无论电源电压如何，都能确保驱动电压为 5V。TPS7H60x3-SP 驱动器都具有分离栅输出，可独立灵活地调节输出的导通和关断强度。\n\nTPS7H60x3-SP 驱动器具有两种控制输入模 辐射性能： \n \n耐辐射保障 (RHA) 高达 100krad(Si) 总电离剂量 (TID)\n \n单粒子锁定 (SEL)、单粒子烧毁 (SEB) 和单粒子栅穿 (SEGR) 对于线性能量传递 (LET) 的抗扰度高达 75MeV-cm2/mg\n \n单粒子瞬变 (SET) 和单粒子功能中断 (SEFI) 的特征值高达 LET = 75MeV-cm2/mg\n \n\n \n1.3A 峰值拉电流和 2.5A 峰值灌电流\n \n两种工作模式： \n \n具有可调死区时间的单个 PWM 输入\n \n两个独立输入\n \n\n \n在独立输入模式下提供可选输入互锁保护\n \n分离输出;

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